Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
Onderdeel nummer
GP2M012A080NG
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-3P-3, SC-65-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-3PN
Vermogensdissipatie (max.)
416W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
800V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
79nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
3370pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 38638 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanGP2M012A080NG
GP2M012A080NG Elektronische componenten
GP2M012A080NG verkoop
GP2M012A080NG Leverancier
GP2M012A080NG Distributeur
GP2M012A080NG Data tafel
GP2M012A080NG Foto's
GP2M012A080NG Prijs
GP2M012A080NG Aanbod
GP2M012A080NG Laagste prijs
GP2M012A080NG Zoekopdracht
GP2M012A080NG Inkoop
GP2M012A080NG Chip