Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
GP1M010A080N
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
Onderdeel nummer
GP1M010A080N
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-3P-3, SC-65-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-3PN
Vermogensdissipatie (max.)
312W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
900V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2336pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 53973 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanGP1M010A080N
GP1M010A080N Elektronische componenten
GP1M010A080N verkoop
GP1M010A080N Leverancier
GP1M010A080N Distributeur
GP1M010A080N Data tafel
GP1M010A080N Foto's
GP1M010A080N Prijs
GP1M010A080N Aanbod
GP1M010A080N Laagste prijs
GP1M010A080N Zoekopdracht
GP1M010A080N Inkoop
GP1M010A080N Chip