Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
GP1M010A080H
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Onderdeel nummer
GP1M010A080H
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-220
Vermogensdissipatie (max.)
290W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
800V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2336pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 34521 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanGP1M010A080H
GP1M010A080H Elektronische componenten
GP1M010A080H verkoop
GP1M010A080H Leverancier
GP1M010A080H Distributeur
GP1M010A080H Data tafel
GP1M010A080H Foto's
GP1M010A080H Prijs
GP1M010A080H Aanbod
GP1M010A080H Laagste prijs
GP1M010A080H Zoekopdracht
GP1M010A080H Inkoop
GP1M010A080H Chip