GP1M009A090H
MOSFET N-CH 900V 9A TO220
Onderdeel nummer
GP1M009A090H
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-220
Vermogensdissipatie (max.)
290W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
900V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2324pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 29634 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanGP1M009A090H
GP1M009A090H Elektronische componenten
GP1M009A090H verkoop
GP1M009A090H Leverancier
GP1M009A090H Distributeur
GP1M009A090H Data tafel
GP1M009A090H Foto's
GP1M009A090H Prijs
GP1M009A090H Aanbod
GP1M009A090H Laagste prijs
GP1M009A090H Zoekopdracht
GP1M009A090H Inkoop
GP1M009A090H Chip