Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
GA10SICP12-263
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
Onderdeel nummer
GA10SICP12-263
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Bedrijfstemperatuur
175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Apparaatpakket van leverancier
D2PAK (7-Lead)
Vermogensdissipatie (max.)
170W (Tc)
FET-type
-
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1200V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 10A
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1403pF @ 800V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
-
Vgs (max.)
-
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 11425 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanGA10SICP12-263
GA10SICP12-263 Elektronische componenten
GA10SICP12-263 verkoop
GA10SICP12-263 Leverancier
GA10SICP12-263 Distributeur
GA10SICP12-263 Data tafel
GA10SICP12-263 Foto's
GA10SICP12-263 Prijs
GA10SICP12-263 Aanbod
GA10SICP12-263 Laagste prijs
GA10SICP12-263 Zoekopdracht
GA10SICP12-263 Inkoop
GA10SICP12-263 Chip