Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Onderdeel nummer
EPC2106ENGRT
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Digi-Reel®
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
Die
Vermogen - Max
-
Apparaatpakket van leverancier
Die
FET-type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-functie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1.7A
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 600µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
0.73nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
75pF @ 50V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 11124 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanEPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT Elektronische componenten
EPC2106ENGRT verkoop
EPC2106ENGRT Leverancier
EPC2106ENGRT Distributeur
EPC2106ENGRT Data tafel
EPC2106ENGRT Foto's
EPC2106ENGRT Prijs
EPC2106ENGRT Aanbod
EPC2106ENGRT Laagste prijs
EPC2106ENGRT Zoekopdracht
EPC2106ENGRT Inkoop
EPC2106ENGRT Chip