Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
DMG7N65SJ3
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Onderdeel nummer
DMG7N65SJ3
Fabrikant/merk
Serie
Automotive, AEC-Q101
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-251-3, IPak, Short Leads
Apparaatpakket van leverancier
TO-251
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
650V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
886pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 38207 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanDMG7N65SJ3
DMG7N65SJ3 Elektronische componenten
DMG7N65SJ3 verkoop
DMG7N65SJ3 Leverancier
DMG7N65SJ3 Distributeur
DMG7N65SJ3 Data tafel
DMG7N65SJ3 Foto's
DMG7N65SJ3 Prijs
DMG7N65SJ3 Aanbod
DMG7N65SJ3 Laagste prijs
DMG7N65SJ3 Zoekopdracht
DMG7N65SJ3 Inkoop
DMG7N65SJ3 Chip