DMG4N60SJ3
MOSFET NCH 600V 3A TO251
Onderdeel nummer
DMG4N60SJ3
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Apparaatpakket van leverancier
TO-251
Vermogensdissipatie (max.)
41W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
14.3nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
532pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 44300 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanDMG4N60SJ3
DMG4N60SJ3 Elektronische componenten
DMG4N60SJ3 verkoop
DMG4N60SJ3 Leverancier
DMG4N60SJ3 Distributeur
DMG4N60SJ3 Data tafel
DMG4N60SJ3 Foto's
DMG4N60SJ3 Prijs
DMG4N60SJ3 Aanbod
DMG4N60SJ3 Laagste prijs
DMG4N60SJ3 Zoekopdracht
DMG4N60SJ3 Inkoop
DMG4N60SJ3 Chip