Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
DMG3N60SJ3
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Onderdeel nummer
DMG3N60SJ3
Fabrikant/merk
Serie
Automotive, AEC-Q101
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-251-3, IPak, Short Leads
Apparaatpakket van leverancier
TO-251
Vermogensdissipatie (max.)
41W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
650V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12.6nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
354pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 14788 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanDMG3N60SJ3
DMG3N60SJ3 Elektronische componenten
DMG3N60SJ3 verkoop
DMG3N60SJ3 Leverancier
DMG3N60SJ3 Distributeur
DMG3N60SJ3 Data tafel
DMG3N60SJ3 Foto's
DMG3N60SJ3 Prijs
DMG3N60SJ3 Aanbod
DMG3N60SJ3 Laagste prijs
DMG3N60SJ3 Zoekopdracht
DMG3N60SJ3 Inkoop
DMG3N60SJ3 Chip