Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
C2M0160120D
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Onderdeel nummer
C2M0160120D
Fabrikant/merk
Serie
Z-FET™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247-3
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1200V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
196 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
32.6nC @ 20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
527pF @ 800V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
20V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 19190 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanC2M0160120D
C2M0160120D Elektronische componenten
C2M0160120D verkoop
C2M0160120D Leverancier
C2M0160120D Distributeur
C2M0160120D Data tafel
C2M0160120D Foto's
C2M0160120D Prijs
C2M0160120D Aanbod
C2M0160120D Laagste prijs
C2M0160120D Zoekopdracht
C2M0160120D Inkoop
C2M0160120D Chip