onsemi (Ansemi)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
NCV1413BDR2G Darlington Transistor Array, High Voltage, High Current

NCV1413BDR2G

Darlington Transistor Array, High Voltage, High Current
Onderdeel nummer
NCV1413BDR2G
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Darlington Transistor Array
Fabrikant/merk
onsemi (Ansemi)
Inkapseling
SOIC-16
Inpakken
taping
Aantal pakketten
2500
Beschrijving
The seven NPN Darlington junction transistors in these arrays are ideal for driving lamps, relays or printing hammers in a variety of industrial and consumer applications. Its high breakdown voltage and internal suppression diodes ensure that inductive loads will not be a problem. The peak inrush current of up to 500 mA enables it to drive incandescent lamps. The MC1413, B with 2.7 kΩ series input resistors is suitable for systems using 5.0 V TTL or CMOS logic.
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 51428 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanNCV1413BDR2G
NCV1413BDR2G Elektronische componenten
NCV1413BDR2G verkoop
NCV1413BDR2G Leverancier
NCV1413BDR2G Distributeur
NCV1413BDR2G Data tafel
NCV1413BDR2G Foto's
NCV1413BDR2G Prijs
NCV1413BDR2G Aanbod
NCV1413BDR2G Laagste prijs
NCV1413BDR2G Zoekopdracht
NCV1413BDR2G Inkoop
NCV1413BDR2G Chip