VBsemi (Wei Bi)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
IPD096N08N3G-VB IPD096N08N3G-VB

IPD096N08N3G-VB

IPD096N08N3G-VB
Onderdeel nummer
IPD096N08N3G-VB
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
VBsemi (Wei Bi)
Inkapseling
TO252
Inpakken
taping
Aantal pakketten
2500
Beschrijving
N-channel, 80V, 110A, RDS(ON), 5.5mΩ@10V, 15mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 2.89Vth(V); TO252
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 95602 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanIPD096N08N3G-VB
IPD096N08N3G-VB Elektronische componenten
IPD096N08N3G-VB verkoop
IPD096N08N3G-VB Leverancier
IPD096N08N3G-VB Distributeur
IPD096N08N3G-VB Data tafel
IPD096N08N3G-VB Foto's
IPD096N08N3G-VB Prijs
IPD096N08N3G-VB Aanbod
IPD096N08N3G-VB Laagste prijs
IPD096N08N3G-VB Zoekopdracht
IPD096N08N3G-VB Inkoop
IPD096N08N3G-VB Chip