VBsemi (Wei Bi)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
FDC638P-VB
P-channel 30V 4.8A
Onderdeel nummer
FDC638P-VB
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
VBsemi (Wei Bi)
Inkapseling
TSOP-6-1.5mm
Inpakken
taping
Aantal pakketten
3000
Beschrijving
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 50528 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
P-Channel 20V 5.5A P-Channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V Specified, -20V, -5.5A, 33mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 6A P-channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V specified, -12V, -6A, 26mΩ
onsemi (Ansemi)
2x N-Channel 20V 2.7A Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 2.7A, 80mΩ
onsemi (Ansemi)
Trefwoorden vanFDC638P-VB
FDC638P-VB Elektronische componenten
FDC638P-VB verkoop
FDC638P-VB Leverancier
FDC638P-VB Distributeur
FDC638P-VB Data tafel
FDC638P-VB Foto's
FDC638P-VB Prijs
FDC638P-VB Aanbod
FDC638P-VB Laagste prijs
FDC638P-VB Zoekopdracht
FDC638P-VB Inkoop
FDC638P-VB Chip