VBsemi (Wei Bi)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
FDC6318P-VB
FDC6318P-VB
Onderdeel nummer
FDC6318P-VB
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
VBsemi (Wei Bi)
Inkapseling
SOT23-6
Inpakken
taping
Aantal pakketten
3000
Beschrijving
P-channel, -20V, -4A, RDS(ON), 75mΩ@4.5V, 100mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -1.2~-2.2Vth(V); SOT23-6
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 92339 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
P-Channel 20V 5.5A P-Channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V Specified, -20V, -5.5A, 33mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 6A P-channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V specified, -12V, -6A, 26mΩ
onsemi (Ansemi)
2x N-Channel 20V 2.7A Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 2.7A, 80mΩ
onsemi (Ansemi)
Trefwoorden vanFDC6318P-VB
FDC6318P-VB Elektronische componenten
FDC6318P-VB verkoop
FDC6318P-VB Leverancier
FDC6318P-VB Distributeur
FDC6318P-VB Data tafel
FDC6318P-VB Foto's
FDC6318P-VB Prijs
FDC6318P-VB Aanbod
FDC6318P-VB Laagste prijs
FDC6318P-VB Zoekopdracht
FDC6318P-VB Inkoop
FDC6318P-VB Chip