HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
ES1J 600V 1A 35ns

ES1J

600V 1A 35ns
Onderdeel nummer
ES1J
Categorie
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
Fabrikant/merk
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Inkapseling
SMA
Inpakken
taping
Aantal pakketten
2000
Beschrijving
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 600V Average rectified current (Io): 1A Forward voltage drop (Vf): 1.7V@1A Reverse current (Ir): 5uA@600V Reverse recovery time ( trr): 35ns Operating temperature: -65℃~+150℃@(Tj)
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 92332 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanES1J
ES1J Elektronische componenten
ES1J verkoop
ES1J Leverancier
ES1J Distributeur
ES1J Data tafel
ES1J Foto's
ES1J Prijs
ES1J Aanbod
ES1J Laagste prijs
ES1J Zoekopdracht
ES1J Inkoop
ES1J Chip