Afbeelding kan een representatie zijn. Zie specificaties voor productdetails.
AGM665E
AGM665E
Onderdeel nummer
AGM665E
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
AGM-Semi (core control source)
Inkapseling
SOT23-3
Inpakken
taping
Aantal pakketten
3000
Beschrijving
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 3A Power (Pd): 1.5W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 60mΩ@10V, 3A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 1.3V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 8.8nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.4nF@30V, Vds=60v Id=3A Rds=60mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj)
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.