Afbeelding kan een representatie zijn. Zie specificaties voor productdetails.
AGM418MNA
AGM418MNA
Onderdeel nummer
AGM418MNA
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
AGM-Semi (core control source)
Inkapseling
PDFN5x6
Inpakken
taping
Aantal pakketten
3000
Beschrijving
Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 22A Power (Pd): 3.7W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 17mΩ@10V, 15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 8.9nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.66nF@20V, Vds=40v Id=22A Rds=17mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.