AGM-Semi (core control source)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
AGM40P26AP
AGM40P26AP
Onderdeel nummer
AGM40P26AP
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
AGM-Semi (core control source)
Inkapseling
DFN3x3
Inpakken
taping
Aantal pakketten
5000
Beschrijving
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 6A Power (Pd): 2.2W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 32mΩ@10V,5A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 16nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.1nF@20V, Vds=40V Id=6A Rds=32mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 98847 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanAGM40P26AP
AGM40P26AP Elektronische componenten
AGM40P26AP verkoop
AGM40P26AP Leverancier
AGM40P26AP Distributeur
AGM40P26AP Data tafel
AGM40P26AP Foto's
AGM40P26AP Prijs
AGM40P26AP Aanbod
AGM40P26AP Laagste prijs
AGM40P26AP Zoekopdracht
AGM40P26AP Inkoop
AGM40P26AP Chip