Diode/Bridge Rectifier
Onderdeel nummer
onsemi (Ansemi)
Fabrikanten
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries feature epitaxial structures with oxide passivation and metal-covered contacts. This is very suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
Beschrijving
88871 PCS
Op voorraad
Onderdeel nummer
YFW (You Feng Wei)
Fabrikanten
I(AV) 3 VRRM(V) 100 IFsM(A) 70 VFM(V) 0.85 VFMI(AV)(A) 3 IRM@VRRM(μA) 0.3
Beschrijving
90278 PCS
Op voorraad
Onderdeel nummer
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabrikanten
IF(A) 3 VR(V) 100 VF(V) 0.85 IR(uA) 1000 IFSM(A) 70
Beschrijving
56354 PCS
Op voorraad
Onderdeel nummer
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabrikanten
IF(A) 3 VR(V) 100 VF(V) 0.85 IR(uA) 1000 IFSM(A) 70
Beschrijving
83881 PCS
Op voorraad
Onderdeel nummer
DIODES (US and Taiwan)
Fabrikanten
Beschrijving
93119 PCS
Op voorraad
Onderdeel nummer
di one
Fabrikanten
1000V 4A VF=1.1V @ 4A
Beschrijving
97662 PCS
Op voorraad
Onderdeel nummer
MICROCHIP (US Microchip)
Fabrikanten
Beschrijving
71657 PCS
Op voorraad
Onderdeel nummer
Crystal Conductor Microelectronics
Fabrikanten
1000V, 3A, VF=1.1V@3A
Beschrijving
98091 PCS
Op voorraad
Onderdeel nummer
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabrikanten
Beschrijving
69963 PCS
Op voorraad