Koop Vishay Siliconix SISS32DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.

DataSheets

SISS32DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

Onderdeel nummer

SISS32DN-T1-GE3

Fabrikant/merk

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Onderdeelstatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Bedrijfstemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montage type

Surface Mount

Pakket / doos

PowerPAK® 1212-8S

Apparaatpakket van leverancier

PowerPAK® 1212-8S

Vermogensdissipatie (max.)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

FET-type

N-Channel

Afvoer naar bronspanning (Vdss)

80V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds

1930pF @ 40V

Vgs (max.)

±20V

Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)

7.5V, 10V

Offerte aanvragen

Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.

Op voorraad 12874 PCS

Contactgegevens

Gerelateerde producten

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS04DN-T1-GE3