SISH617DN-T1-GE3
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Onderdeel nummer
SISH617DN-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® 1212-8S
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® 1212-8S
Vermogensdissipatie (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
FET-type
P-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
13.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1800pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±25V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 47494 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSISH617DN-T1-GE3
SISH617DN-T1-GE3 Elektronische componenten
SISH617DN-T1-GE3 verkoop
SISH617DN-T1-GE3 Leverancier
SISH617DN-T1-GE3 Distributeur
SISH617DN-T1-GE3 Data tafel
SISH617DN-T1-GE3 Foto's
SISH617DN-T1-GE3 Prijs
SISH617DN-T1-GE3 Aanbod
SISH617DN-T1-GE3 Laagste prijs
SISH617DN-T1-GE3 Zoekopdracht
SISH617DN-T1-GE3 Inkoop
SISH617DN-T1-GE3 Chip