Koop Vishay Siliconix SISA40DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8

Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.

DataSheets

SISA40DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8

Onderdeel nummer

SISA40DN-T1-GE3

Fabrikant/merk

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Onderdeelstatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Bedrijfstemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montage type

Surface Mount

Pakket / doos

PowerPAK® 1212-8

Apparaatpakket van leverancier

PowerPAK® 1212-8

Vermogensdissipatie (max.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

FET-type

N-Channel

Afvoer naar bronspanning (Vdss)

20V

Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C

43.7A (Ta), 162A (Tc)

Rds Aan (Max) @ Id, Vgs

1.1 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds

3415pF @ 10V

Vgs (max.)

+12V, -8V

Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)

2.5V, 10V

Offerte aanvragen

Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.

Op voorraad 30264 PCS

Contactgegevens

Gerelateerde producten

SISA01DN-T1-GE3