SIS903DN-T1-GE3
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Onderdeel nummer
SIS903DN-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET® Gen III
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® 1212-8 Dual
Vermogen - Max
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET-type
2 P-Channel (Dual)
FET-functie
Standard
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
20V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2565pF @ 10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 45463 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIS903DN-T1-GE3
SIS903DN-T1-GE3 Elektronische componenten
SIS903DN-T1-GE3 verkoop
SIS903DN-T1-GE3 Leverancier
SIS903DN-T1-GE3 Distributeur
SIS903DN-T1-GE3 Data tafel
SIS903DN-T1-GE3 Foto's
SIS903DN-T1-GE3 Prijs
SIS903DN-T1-GE3 Aanbod
SIS903DN-T1-GE3 Laagste prijs
SIS903DN-T1-GE3 Zoekopdracht
SIS903DN-T1-GE3 Inkoop
SIS903DN-T1-GE3 Chip