Koop Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.

DataSheets

SIS612EDNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Onderdeel nummer

SIS612EDNT-T1-GE3

Fabrikant/merk

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Onderdeelstatus

Active

Verpakking

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Bedrijfstemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montage type

Surface Mount

Pakket / doos

PowerPAK® 1212-8S

Apparaatpakket van leverancier

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Vermogensdissipatie (max.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

FET-type

N-Channel

FET-functie

Afvoer naar bronspanning (Vdss)

20V

Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds Aan (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds

2060pF @ 10V

Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)

2.5V, 4.5V

Vgs (max.)

±12V

Offerte aanvragen

Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.

Op voorraad 28483 PCS

Contactgegevens

Gerelateerde producten

SIS606BDN-T1-GE3