SIS606BDN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
Onderdeel nummer
SIS606BDN-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET® Gen IV
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® 1212-8
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® 1212-8
Vermogensdissipatie (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
17.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1470pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
7.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 12581 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIS606BDN-T1-GE3
SIS606BDN-T1-GE3 Elektronische componenten
SIS606BDN-T1-GE3 verkoop
SIS606BDN-T1-GE3 Leverancier
SIS606BDN-T1-GE3 Distributeur
SIS606BDN-T1-GE3 Data tafel
SIS606BDN-T1-GE3 Foto's
SIS606BDN-T1-GE3 Prijs
SIS606BDN-T1-GE3 Aanbod
SIS606BDN-T1-GE3 Laagste prijs
SIS606BDN-T1-GE3 Zoekopdracht
SIS606BDN-T1-GE3 Inkoop
SIS606BDN-T1-GE3 Chip