SIS406DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK
Onderdeel nummer
SIS406DN-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® 1212-8
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® 1212-8
Vermogensdissipatie (max.)
1.5W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1100pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±25V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 33651 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIS406DN-T1-GE3
SIS406DN-T1-GE3 Elektronische componenten
SIS406DN-T1-GE3 verkoop
SIS406DN-T1-GE3 Leverancier
SIS406DN-T1-GE3 Distributeur
SIS406DN-T1-GE3 Data tafel
SIS406DN-T1-GE3 Foto's
SIS406DN-T1-GE3 Prijs
SIS406DN-T1-GE3 Aanbod
SIS406DN-T1-GE3 Laagste prijs
SIS406DN-T1-GE3 Zoekopdracht
SIS406DN-T1-GE3 Inkoop
SIS406DN-T1-GE3 Chip