Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8
Onderdeel nummer
SIRA01DP-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET® Gen IV
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® SO-8
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® SO-8
Vermogensdissipatie (max.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
FET-type
P-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
26A (Ta), 60A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
4.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
112nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
3490pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
+16V, -20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 13732 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanSIRA01DP-T1-GE3
SIRA01DP-T1-GE3 Elektronische componenten
SIRA01DP-T1-GE3 verkoop
SIRA01DP-T1-GE3 Leverancier
SIRA01DP-T1-GE3 Distributeur
SIRA01DP-T1-GE3 Data tafel
SIRA01DP-T1-GE3 Foto's
SIRA01DP-T1-GE3 Prijs
SIRA01DP-T1-GE3 Aanbod
SIRA01DP-T1-GE3 Laagste prijs
SIRA01DP-T1-GE3 Zoekopdracht
SIRA01DP-T1-GE3 Inkoop
SIRA01DP-T1-GE3 Chip