SIHW61N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
Onderdeel nummer
SIHW61N65EF-GE3
Fabrikant/merk
Serie
E
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247AD
Vermogensdissipatie (max.)
520W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
650V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
47 mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
371nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
7407pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 52062 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHW61N65EF-GE3
SIHW61N65EF-GE3 Elektronische componenten
SIHW61N65EF-GE3 verkoop
SIHW61N65EF-GE3 Leverancier
SIHW61N65EF-GE3 Distributeur
SIHW61N65EF-GE3 Data tafel
SIHW61N65EF-GE3 Foto's
SIHW61N65EF-GE3 Prijs
SIHW61N65EF-GE3 Aanbod
SIHW61N65EF-GE3 Laagste prijs
SIHW61N65EF-GE3 Zoekopdracht
SIHW61N65EF-GE3 Inkoop
SIHW61N65EF-GE3 Chip