SIHP21N80AE-GE3
MOSFET E SERIES 800V TO-220AB
Onderdeel nummer
SIHP21N80AE-GE3
Fabrikant/merk
Serie
E
Onderdeelstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-220AB
Vermogensdissipatie (max.)
32W (Tc)
FET-type
N-Channel
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
800V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1388pF @ 100V
Vgs (max.)
±30V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 35732 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHP21N80AE-GE3
SIHP21N80AE-GE3 Elektronische componenten
SIHP21N80AE-GE3 verkoop
SIHP21N80AE-GE3 Leverancier
SIHP21N80AE-GE3 Distributeur
SIHP21N80AE-GE3 Data tafel
SIHP21N80AE-GE3 Foto's
SIHP21N80AE-GE3 Prijs
SIHP21N80AE-GE3 Aanbod
SIHP21N80AE-GE3 Laagste prijs
SIHP21N80AE-GE3 Zoekopdracht
SIHP21N80AE-GE3 Inkoop
SIHP21N80AE-GE3 Chip