SIHG73N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Onderdeel nummer
SIHG73N60AE-GE3
Fabrikant/merk
Serie
E
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247AC
Vermogensdissipatie (max.)
417W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
394nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
5500pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 17202 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHG73N60AE-GE3
SIHG73N60AE-GE3 Elektronische componenten
SIHG73N60AE-GE3 verkoop
SIHG73N60AE-GE3 Leverancier
SIHG73N60AE-GE3 Distributeur
SIHG73N60AE-GE3 Data tafel
SIHG73N60AE-GE3 Foto's
SIHG73N60AE-GE3 Prijs
SIHG73N60AE-GE3 Aanbod
SIHG73N60AE-GE3 Laagste prijs
SIHG73N60AE-GE3 Zoekopdracht
SIHG73N60AE-GE3 Inkoop
SIHG73N60AE-GE3 Chip