SIHD1K4N60E-GE3
MOSFET N-CH DPAK TO-252
Onderdeel nummer
SIHD1K4N60E-GE3
Fabrikant/merk
Serie
E
Onderdeelstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
TO-252AA
Vermogensdissipatie (max.)
63W (Tc)
FET-type
N-Channel
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.45 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
172pF @ 100V
Vgs (max.)
±30V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 19045 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHD1K4N60E-GE3
SIHD1K4N60E-GE3 Elektronische componenten
SIHD1K4N60E-GE3 verkoop
SIHD1K4N60E-GE3 Leverancier
SIHD1K4N60E-GE3 Distributeur
SIHD1K4N60E-GE3 Data tafel
SIHD1K4N60E-GE3 Foto's
SIHD1K4N60E-GE3 Prijs
SIHD1K4N60E-GE3 Aanbod
SIHD1K4N60E-GE3 Laagste prijs
SIHD1K4N60E-GE3 Zoekopdracht
SIHD1K4N60E-GE3 Inkoop
SIHD1K4N60E-GE3 Chip