SIHB30N60AEL-GE3
MOSFET N-CHAN 600V D2PAK
Onderdeel nummer
SIHB30N60AEL-GE3
Fabrikant/merk
Serie
EL
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Apparaatpakket van leverancier
TO-263 (D²Pak)
Vermogensdissipatie (max.)
250W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2565pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 49683 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHB30N60AEL-GE3
SIHB30N60AEL-GE3 Elektronische componenten
SIHB30N60AEL-GE3 verkoop
SIHB30N60AEL-GE3 Leverancier
SIHB30N60AEL-GE3 Distributeur
SIHB30N60AEL-GE3 Data tafel
SIHB30N60AEL-GE3 Foto's
SIHB30N60AEL-GE3 Prijs
SIHB30N60AEL-GE3 Aanbod
SIHB30N60AEL-GE3 Laagste prijs
SIHB30N60AEL-GE3 Zoekopdracht
SIHB30N60AEL-GE3 Inkoop
SIHB30N60AEL-GE3 Chip