SIHA120N60E-GE3
MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN
Onderdeel nummer
SIHA120N60E-GE3
Fabrikant/merk
Serie
E
Onderdeelstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-3 Full Pack
Apparaatpakket van leverancier
TO-220 Full Pack
Vermogensdissipatie (max.)
34W (Tc)
FET-type
N-Channel
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1562pF @ 100V
Vgs (max.)
±30V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 6600 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHA120N60E-GE3
SIHA120N60E-GE3 Elektronische componenten
SIHA120N60E-GE3 verkoop
SIHA120N60E-GE3 Leverancier
SIHA120N60E-GE3 Distributeur
SIHA120N60E-GE3 Data tafel
SIHA120N60E-GE3 Foto's
SIHA120N60E-GE3 Prijs
SIHA120N60E-GE3 Aanbod
SIHA120N60E-GE3 Laagste prijs
SIHA120N60E-GE3 Zoekopdracht
SIHA120N60E-GE3 Inkoop
SIHA120N60E-GE3 Chip