Koop Vishay Siliconix SI7792DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.

DataSheets

SI7792DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Onderdeel nummer

SI7792DP-T1-GE3

Fabrikant/merk

Vishay Siliconix

Serie

SkyFET®, TrenchFET® Gen III

Onderdeelstatus

Last Time Buy

Verpakking

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Bedrijfstemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montage type

Surface Mount

Pakket / doos

PowerPAK® SO-8

Apparaatpakket van leverancier

PowerPAK® SO-8

Vermogensdissipatie (max.)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

FET-type

N-Channel

FET-functie

Schottky Diode (Body)

Afvoer naar bronspanning (Vdss)

30V

Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C

40.6A (Ta), 60A (Tc)

Rds Aan (Max) @ Id, Vgs

2.1 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds

4.735nF @ 15V

Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)

4.5V, 10V

Vgs (max.)

±20V

Offerte aanvragen

Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.

Op voorraad 5614 PCS

Contactgegevens

Gerelateerde producten

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7703EDN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Vishay Siliconix

SI7703EDN-T1-GE3