SI3429EDV-T1-GE3
MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
Onderdeel nummer
SI3429EDV-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Apparaatpakket van leverancier
6-TSOP
Vermogensdissipatie (max.)
4.2W (Tc)
FET-type
P-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
20V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
8A (Ta), 8A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
4085pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
1.8V, 4.5V
Vgs (max.)
±8V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 6981 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI3429EDV-T1-GE3
SI3429EDV-T1-GE3 Elektronische componenten
SI3429EDV-T1-GE3 verkoop
SI3429EDV-T1-GE3 Leverancier
SI3429EDV-T1-GE3 Distributeur
SI3429EDV-T1-GE3 Data tafel
SI3429EDV-T1-GE3 Foto's
SI3429EDV-T1-GE3 Prijs
SI3429EDV-T1-GE3 Aanbod
SI3429EDV-T1-GE3 Laagste prijs
SI3429EDV-T1-GE3 Zoekopdracht
SI3429EDV-T1-GE3 Inkoop
SI3429EDV-T1-GE3 Chip