TK10J80E,S1E
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
Onderdeel nummer
TK10J80E,S1E
Fabrikant/merk
Serie
π-MOSVIII
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-3P-3, SC-65-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-3P(N)
Vermogensdissipatie (max.)
250W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
800V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2000pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 48328 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanTK10J80E,S1E
TK10J80E,S1E Elektronische componenten
TK10J80E,S1E verkoop
TK10J80E,S1E Leverancier
TK10J80E,S1E Distributeur
TK10J80E,S1E Data tafel
TK10J80E,S1E Foto's
TK10J80E,S1E Prijs
TK10J80E,S1E Aanbod
TK10J80E,S1E Laagste prijs
TK10J80E,S1E Zoekopdracht
TK10J80E,S1E Inkoop
TK10J80E,S1E Chip