Taiwan Semiconductor Corporation
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
GBL10HD2G
DataSheets

GBL10HD2G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
Onderdeel nummer
GBL10HD2G
Fabrikant/merk
Taiwan Semiconductor Corporation
Serie
Automotive, AEC-Q101
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
Standard
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
4-SIP, GBL
Apparaatpakket van leverancier
GBL
Diodetype
Single Phase
Spanning - Piek omgekeerd (max.)
1kV
Stroom - Gemiddeld gelijkgericht (Io)
4A
Spanning - Voorwaarts (Vf) (Max) @ If
1.1V @ 4A
Stroom - omgekeerde lekkage @ Vr
5µA @ 1000V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 37763 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
GBL10 DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL
GBL10
DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL
GeneSiC Semiconductor
GBL10 DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL
GBL10
DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL
GeneSiC Semiconductor
GBL10 D2G BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
GBL10 D2G
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL10 D2G BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
GBL10 D2G
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL10-E3/45 DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
GBL10-E3/45
DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL10-E3/45 DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
GBL10-E3/45
DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL10-E3/51 DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
GBL10-E3/51
DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL10-E3/51 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
GBL10-E3/51
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL10-E3/51 DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
GBL10-E3/51
DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL10-M3/45 BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL
GBL10-M3/45
BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL10-M3/45 BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL
GBL10-M3/45
BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL10-M3/51 BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL
GBL10-M3/51
BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL10-M3/51 BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL
GBL10-M3/51
BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL10HD2G BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
GBL10HD2G
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL10HD2G BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
GBL10HD2G
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
Taiwan Semiconductor Corporation
Trefwoorden vanGBL10HD2G
GBL10HD2G Elektronische componenten
GBL10HD2G verkoop
GBL10HD2G Leverancier
GBL10HD2G Distributeur
GBL10HD2G Data tafel
GBL10HD2G Foto's
GBL10HD2G Prijs
GBL10HD2G Aanbod
GBL10HD2G Laagste prijs
GBL10HD2G Zoekopdracht
GBL10HD2G Inkoop
GBL10HD2G Chip