APTM100DA33T1G
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
Onderdeel nummer
APTM100DA33T1G
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Chassis Mount
Pakket / doos
SP1
Apparaatpakket van leverancier
SP1
Vermogensdissipatie (max.)
390W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
396 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
305nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
7868pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 14356 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanAPTM100DA33T1G
APTM100DA33T1G Elektronische componenten
APTM100DA33T1G verkoop
APTM100DA33T1G Leverancier
APTM100DA33T1G Distributeur
APTM100DA33T1G Data tafel
APTM100DA33T1G Foto's
APTM100DA33T1G Prijs
APTM100DA33T1G Aanbod
APTM100DA33T1G Laagste prijs
APTM100DA33T1G Zoekopdracht
APTM100DA33T1G Inkoop
APTM100DA33T1G Chip