IPI26CN10N G
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
Onderdeel nummer
IPI26CN10N G
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO262-3
Vermogensdissipatie (max.)
71W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2070pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 26931 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPI26CN10N G
IPI26CN10N G Elektronische componenten
IPI26CN10N G verkoop
IPI26CN10N G Leverancier
IPI26CN10N G Distributeur
IPI26CN10N G Data tafel
IPI26CN10N G Foto's
IPI26CN10N G Prijs
IPI26CN10N G Aanbod
IPI26CN10N G Laagste prijs
IPI26CN10N G Zoekopdracht
IPI26CN10N G Inkoop
IPI26CN10N G Chip