IPI126N10N3 G
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
Onderdeel nummer
IPI126N10N3 G
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO262-3
Vermogensdissipatie (max.)
94W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
12.6 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2500pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
6V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 13918 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPI126N10N3 G
IPI126N10N3 G Elektronische componenten
IPI126N10N3 G verkoop
IPI126N10N3 G Leverancier
IPI126N10N3 G Distributeur
IPI126N10N3 G Data tafel
IPI126N10N3 G Foto's
IPI126N10N3 G Prijs
IPI126N10N3 G Aanbod
IPI126N10N3 G Laagste prijs
IPI126N10N3 G Zoekopdracht
IPI126N10N3 G Inkoop
IPI126N10N3 G Chip