IPI08CN10N G
MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3
Onderdeel nummer
IPI08CN10N G
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO262-3
Vermogensdissipatie (max.)
167W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 130µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
6660pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 33327 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPI08CN10N G
IPI08CN10N G Elektronische componenten
IPI08CN10N G verkoop
IPI08CN10N G Leverancier
IPI08CN10N G Distributeur
IPI08CN10N G Data tafel
IPI08CN10N G Foto's
IPI08CN10N G Prijs
IPI08CN10N G Aanbod
IPI08CN10N G Laagste prijs
IPI08CN10N G Zoekopdracht
IPI08CN10N G Inkoop
IPI08CN10N G Chip