IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Onderdeel nummer
IPD80R3K3P7ATMA1
Fabrikant/merk
Serie
CoolMOS™ P7
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO252-3
Vermogensdissipatie (max.)
18W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
800V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
3.3 Ohm @ 590mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 30µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
5.8nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
120pF @ 500V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 9500 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPD80R3K3P7ATMA1
IPD80R3K3P7ATMA1 Elektronische componenten
IPD80R3K3P7ATMA1 verkoop
IPD80R3K3P7ATMA1 Leverancier
IPD80R3K3P7ATMA1 Distributeur
IPD80R3K3P7ATMA1 Data tafel
IPD80R3K3P7ATMA1 Foto's
IPD80R3K3P7ATMA1 Prijs
IPD80R3K3P7ATMA1 Aanbod
IPD80R3K3P7ATMA1 Laagste prijs
IPD80R3K3P7ATMA1 Zoekopdracht
IPD80R3K3P7ATMA1 Inkoop
IPD80R3K3P7ATMA1 Chip