IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Onderdeel nummer
IPD80R1K4CEATMA1
Fabrikant/merk
Serie
CoolMOS™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO252-3
Vermogensdissipatie (max.)
63W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
800V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
570pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 23541 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPD80R1K4CEATMA1
IPD80R1K4CEATMA1 Elektronische componenten
IPD80R1K4CEATMA1 verkoop
IPD80R1K4CEATMA1 Leverancier
IPD80R1K4CEATMA1 Distributeur
IPD80R1K4CEATMA1 Data tafel
IPD80R1K4CEATMA1 Foto's
IPD80R1K4CEATMA1 Prijs
IPD80R1K4CEATMA1 Aanbod
IPD80R1K4CEATMA1 Laagste prijs
IPD80R1K4CEATMA1 Zoekopdracht
IPD80R1K4CEATMA1 Inkoop
IPD80R1K4CEATMA1 Chip