IPD60N10S412ATMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Onderdeel nummer
IPD60N10S412ATMA1
Fabrikant/merk
Serie
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO252-3-313
Vermogensdissipatie (max.)
94W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
12.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2470pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 45947 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPD60N10S412ATMA1
IPD60N10S412ATMA1 Elektronische componenten
IPD60N10S412ATMA1 verkoop
IPD60N10S412ATMA1 Leverancier
IPD60N10S412ATMA1 Distributeur
IPD60N10S412ATMA1 Data tafel
IPD60N10S412ATMA1 Foto's
IPD60N10S412ATMA1 Prijs
IPD60N10S412ATMA1 Aanbod
IPD60N10S412ATMA1 Laagste prijs
IPD60N10S412ATMA1 Zoekopdracht
IPD60N10S412ATMA1 Inkoop
IPD60N10S412ATMA1 Chip