IPD30N10S3L34ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Onderdeel nummer
IPD30N10S3L34ATMA1
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO252-3
Vermogensdissipatie (max.)
57W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 29µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1976pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 37428 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPD30N10S3L34ATMA1
IPD30N10S3L34ATMA1 Elektronische componenten
IPD30N10S3L34ATMA1 verkoop
IPD30N10S3L34ATMA1 Leverancier
IPD30N10S3L34ATMA1 Distributeur
IPD30N10S3L34ATMA1 Data tafel
IPD30N10S3L34ATMA1 Foto's
IPD30N10S3L34ATMA1 Prijs
IPD30N10S3L34ATMA1 Aanbod
IPD30N10S3L34ATMA1 Laagste prijs
IPD30N10S3L34ATMA1 Zoekopdracht
IPD30N10S3L34ATMA1 Inkoop
IPD30N10S3L34ATMA1 Chip