IPD180N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Onderdeel nummer
IPD180N10N3GBTMA1
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO252-3
Vermogensdissipatie (max.)
71W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1800pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
6V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 48956 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPD180N10N3GBTMA1
IPD180N10N3GBTMA1 Elektronische componenten
IPD180N10N3GBTMA1 verkoop
IPD180N10N3GBTMA1 Leverancier
IPD180N10N3GBTMA1 Distributeur
IPD180N10N3GBTMA1 Data tafel
IPD180N10N3GBTMA1 Foto's
IPD180N10N3GBTMA1 Prijs
IPD180N10N3GBTMA1 Aanbod
IPD180N10N3GBTMA1 Laagste prijs
IPD180N10N3GBTMA1 Zoekopdracht
IPD180N10N3GBTMA1 Inkoop
IPD180N10N3GBTMA1 Chip