IPD122N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Onderdeel nummer
IPD122N10N3GBTMA1
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO252-3
Vermogensdissipatie (max.)
94W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
12.2 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2500pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
6V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 18524 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPD122N10N3GBTMA1
IPD122N10N3GBTMA1 Elektronische componenten
IPD122N10N3GBTMA1 verkoop
IPD122N10N3GBTMA1 Leverancier
IPD122N10N3GBTMA1 Distributeur
IPD122N10N3GBTMA1 Data tafel
IPD122N10N3GBTMA1 Foto's
IPD122N10N3GBTMA1 Prijs
IPD122N10N3GBTMA1 Aanbod
IPD122N10N3GBTMA1 Laagste prijs
IPD122N10N3GBTMA1 Zoekopdracht
IPD122N10N3GBTMA1 Inkoop
IPD122N10N3GBTMA1 Chip