IPD088N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Onderdeel nummer
IPD088N06N3GBTMA1
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO252-3
Vermogensdissipatie (max.)
71W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
60V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 34µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
3900pF @ 30V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 6535 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPD088N06N3GBTMA1
IPD088N06N3GBTMA1 Elektronische componenten
IPD088N06N3GBTMA1 verkoop
IPD088N06N3GBTMA1 Leverancier
IPD088N06N3GBTMA1 Distributeur
IPD088N06N3GBTMA1 Data tafel
IPD088N06N3GBTMA1 Foto's
IPD088N06N3GBTMA1 Prijs
IPD088N06N3GBTMA1 Aanbod
IPD088N06N3GBTMA1 Laagste prijs
IPD088N06N3GBTMA1 Zoekopdracht
IPD088N06N3GBTMA1 Inkoop
IPD088N06N3GBTMA1 Chip