IPB35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Onderdeel nummer
IPB35N10S3L26ATMA1
Fabrikant/merk
Serie
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Apparaatpakket van leverancier
D²PAK (TO-263AB)
Vermogensdissipatie (max.)
71W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
26.3 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 39µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2700pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 43714 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPB35N10S3L26ATMA1
IPB35N10S3L26ATMA1 Elektronische componenten
IPB35N10S3L26ATMA1 verkoop
IPB35N10S3L26ATMA1 Leverancier
IPB35N10S3L26ATMA1 Distributeur
IPB35N10S3L26ATMA1 Data tafel
IPB35N10S3L26ATMA1 Foto's
IPB35N10S3L26ATMA1 Prijs
IPB35N10S3L26ATMA1 Aanbod
IPB35N10S3L26ATMA1 Laagste prijs
IPB35N10S3L26ATMA1 Zoekopdracht
IPB35N10S3L26ATMA1 Inkoop
IPB35N10S3L26ATMA1 Chip