IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Onderdeel nummer
IPB019N08N3GATMA1
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO263-7
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
80V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 270µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
14200pF @ 40V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
6V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 17151 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPB019N08N3GATMA1
IPB019N08N3GATMA1 Elektronische componenten
IPB019N08N3GATMA1 verkoop
IPB019N08N3GATMA1 Leverancier
IPB019N08N3GATMA1 Distributeur
IPB019N08N3GATMA1 Data tafel
IPB019N08N3GATMA1 Foto's
IPB019N08N3GATMA1 Prijs
IPB019N08N3GATMA1 Aanbod
IPB019N08N3GATMA1 Laagste prijs
IPB019N08N3GATMA1 Zoekopdracht
IPB019N08N3GATMA1 Inkoop
IPB019N08N3GATMA1 Chip